Samsung apresenta memórias V10 BV-NAND e zHBM para acelerar a IA

A Samsung aproveitou a edição de 2026 do evento Future of Memory and Storage, nos EUA, para mostrar que o futuro do processamento de inteligência artificial depende essencialmente de novas arquiteturas de memória. Mais de uma década depois de revolucionar o mercado com a primeira tecnologia V-NAND, a fabricante sul-coreana revela agora a sua 10ª geração de armazenamento flash, a V10 BV-NAND, acompanhada de novos conceitos visando a próxima era da infraestrutura de IA.

O principal destaque no campo do armazenamento denso é a arquitetura V10 BV-NAND (Bonding V-NAND). Essa é a primeira memória flash do setor a ultrapassar a barreira de 400 camadas empilhadas, viabilizada por uma nova tecnologia de fusão de wafers. Esse avanço permitiu um salto de aproximadamente 58% na densidade de armazenamento em relação à geração V9 anterior.

Além da capacidade ampliada, a V10 entrega taxas aprimoradas de leitura, escrita e I/O, consumindo consideravelmente menos energia, um requisito indispensável para servidores de nuvem que lidam com volumes massivos de dados.

O futuro do processamento de IA com memórias zHBM

No entanto, a grande virada de chave para o processamento de IA veio com a apresentação do modelo conceitual da memória zHBM. Diferente das memórias de alta largura de banda tradicionais, que ficam posicionadas lado a lado com o processador na placa, a zHBM empilha os chips de memória verticalmente, diretamente sobre os aceleradores de IA.