Resumo
A Samsung anunciou uma nova geração de memórias 3D para inteligência artificial, incluindo a arquitetura zHBM, que empilha memória verticalmente sobre os chips de processamento, reduzindo a distância e aumentando a velocidade de transferência de dados.
A nova tecnologia oferece até oito vezes mais velocidade e triplica a eficiência energética.
A Samsung também apresentou a memória LPDDR5X-PIM, que permite processamento direto na memória, e o padrão de memória V10 BV-NAND, que aumenta a densidade em 58%.
A tecnologia deve ser usada por grandes empresas de IA, como OpenAI, Microsoft e Google, mas pode impactar também a produção de memórias tradicionais e o preço de eletrônicos.
A Samsung divulgou nesta quarta-feira (5), durante a conferência Future of Memory and Storage 2026, a nova geração de memórias 3D voltadas para o setor de inteligência artificial. Com a promessa de acelerar o processamento de dados, a companhia apresentou a nova arquitetura zHBM e alcançou um marco histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento no mesmo chip.
Até então, nos sistemas de IA, os módulos de memória ficavam instalados ao lado dos processadores. A nova tecnologia muda essa geografia ao empilhar a memória verticalmente direto sobre os chips de processamento.
A redução na distância faz com que os dados viajem de forma mais eficiente.
