A Samsung revelou novas inovações para o segmento de memórias voltadas ao uso profissional com a tecnologia zHBM, e para armazenamento com o zNAND-O. O anúncio foi feito durante o evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026 e os sistemas com o zHBM prometem um desempenho oito vezes maior que a futura HBM5.
Esse zHBM é uma nova arquitetura de memória de alta largura de banda (HBM) que muda completamente a forma como esses componentes são integrados aos aceleradores de IA. Modelos HBM padrão são inseridos ao lado do processador dos servidores, mas a nova proposta da Samsung é reduzir a distância física entre a memória e o chip.
A solução da gigante sul-coreana é empilhar as memórias verticalmente sobre o processador através de uma técnica que une os wafers de memória. Na prática, isso reduz a distância percorrida pelos dados entre memória e processador, diminuindo a latência e aumentando tanto a velocidade quanto a eficiência energética.
Essa abordagem seria 8 vezes melhor que sistemas com a futura HBM5 e com densidade dez vezes maior, além da melhor eficiência energética. Outro ponto destacado pela Samsung é que esse zHBM traria uma redução superior a 50% da resistência térmica, facilitando a dissipação de calor em sistemas de IA mais complexos.
zNAND-O e V10
Para o mundo dos armazenamentos, a apresentação da Samsung também revelou o zNAND-O. Trata-se de uma nova proposta para armazenamento NAND de alto desempenho voltada principalmente para aplicações de Edge AI.
