Samsung revela memória de alta potência que mira o futuro da inteligência artificial

A Samsung Electronics anunciou nesta terça-feira (04) uma nova geração de tecnologias de memória voltadas para sistemas de inteligência artificial durante a conferência Future of Memory and Storage, realizada em Santa Clara, na Califórnia.

A empresa sul-coreana apresentou o protótipo V10 Bonding V-NAND, também chamado de BV-NAND, uma solução criada para ampliar a capacidade de armazenamento e melhorar o desempenho de aplicações de IA que exigem maior volume de dados.

A fabricante afirmou que a nova arquitetura combina mais de 400 camadas e uma tecnologia de ligação entre wafers capaz de elevar a densidade de memória, reduzir limitações térmicas e aumentar a eficiência no consumo de energia.

Samsung aposta em novas arquiteturas para atender expansão da inteligência artificial

A evolução dos sistemas de inteligência artificial, especialmente aqueles voltados à geração de respostas a usuários, tem aumentado a procura por memórias de alta capacidade. Nesse cenário, a Samsung busca fortalecer sua posição no mercado de chips ao desenvolver soluções específicas para cargas de trabalho mais intensas.

De acordo com a companhia, a tecnologia BV-NAND representa um avanço em relação à geração anterior V9 NAND, com crescimento aproximado de 58% na densidade de memória. A empresa também informou melhorias nas operações de leitura, gravação e entrada e saída de dados, características importantes para aplicações que dependem de armazenamento mais rápido.