A Samsung Eletronics apresentou nesta terça-feira (4) uma nova geração de tecnologia de memória para inteligência artificial, buscando reforçar sua liderança na fabricação de chips no mercado de IA.
A maior fabricante mundial de chips de memória escolheu a conferência Future of Memory and Storage (FMS) deste ano, em Santa Clara, na Califórnia, para apresentar seu protótipo V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND. O chip possui mais de 400 camadas e uma nova arquitetura de colagem de wafers para aumentar a densidade de armazenamento e impulsionar o desempenho.
Com a expansão das cargas de trabalho de IA, que vão além do treinamento de grandes modelos de linguagem e abrangem também o processo de geração de respostas a consultas de usuários, a demanda por memória NAND de alta capacidade aumentou. A memória flash NAND é usada para armazenar dados como fotos, vídeos e aplicativos em dispositivos como smartphones.
A empresa afirmou que sua tecnologia BV-NAND aumenta a densidade de memória em cerca de 58% em relação à sua tecnologia V9 NAND anterior, ao mesmo tempo que melhora o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída para atender à crescente demanda de sistemas de IA que exigem armazenamento de maior capacidade e mais eficiente em termos de energia.
