A Intel revelou recentemente a antecipação de sua nova tecnologia de fabricação de chips de 1,4 nanômetros em suas fábricas de semicondutores. Com isso, a empresa deve alcançar uma redução acelerada de imperfeições no silício ao aproveitar as bases de engenharia da geração anterior para viabilizar novos contratos comerciais.
O nó de fabricação 14A está registrando uma minimização na densidade de defeitos de 3 a 4 trimestres à frente do progresso histórico da geração atual (18A). Caso essa tendência seja mantida, a esteia comercial do processo acontecerá no segundo trimestre de 2028, o que representa uma aceleração significativa frente à meta original estimada para o segundo semestre de 2028.
A taxa de defeitos por área de silício atingiu o índice de 0,5 em junho de 2026, com uma meta corporativa de alcançar de 0,1 a 0,2 no primeiro trimestre de 2027. Essa redução progressiva do indicador resulta no aumento direto dos rendimentos de fabricação das pastilhas de silício.Clique aqui para ler mais
