A Samsung Electronics anunciou nesta semana, durante o Memory Executive Summit, em Taiwan, a intenção de duplicar o desempenho e aumentar a eficiência energética da próxima especificação de memória HBM5, em comparação à HBM4E.
O chefe da equipe de planejamento de produtos da divisão de memória da empresa, Choi Jang-seok, apresentou as metas, que preveem um ganho de 20% no rendimento por Watt em relação à geração passada. A empresa já confirmou a inclusão de um bloco térmico (HPB) nas pilhas de memória HBM5, com redução da resistência térmica em 20% e simplificação dos módulos de resfriamento.
A duplicação da largura de banda por pilha resulta em um pico de transferência de cerca de 4 TB/s por unidade, entre os anos de 2028 e 2029. As estimativas da TSMC indicam que aceleradores de IA utilizarão configurações de 20 a 24 módulos HBM5 ou HBM5E por pacote até o final da década. Essa integração permite aos sistemas atingirem taxas entre 80 TB/s e 96 TB/s de largura de banda de memória.Clique aqui para ler mais
