A Micron anunciou nesta terça-feira (15) o desenvolvimento do primeiro módulo de memória DDR5 de 512 GB do mundo, criado para impulsionar servidores de próxima geração. O componente atinge velocidades de até 9.200 MT/s e mira diretamente a crescente demanda global por Inteligência Artificial, analytics avançados e processamento pesado em data centers.
O segredo por trás da densidade inédita do novo RDIMM de 512 GB está no empacotamento. A fabricante utilizou interconexão vertical para empilhar chips de DRAM e conectá-los por meio de TSVs (through-silicon vias). Com essa arquitetura, seria possível equipar um único servidor dual-socket com 24 slots com a capacidade impressionante de 12 TB.
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